- Capacidad: 500 GB
- Tipo de memoria: 3D NAND
- Interfaz: PCIe 3.0 x4, NVMe 1.4
- Factor de forma: M.2 2280 (M‑Key)
- Velocidad de lectura secuencial: hasta 3 500 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial: hasta 3 000 MB/s
- Velocidad de lectura aleatoria (4 KB, QD32): 500 000 IOPS
- Velocidad de escritura aleatoria (4 KB, QD32): 450 000 IOPS
- Consumo de energía: 3.3 V, 2.5 W (máximo)
- Dimensiones: 80 mm × 22 mm × 2.1 mm
- Peso: 5 g
- Temperatura de funcionamiento: 0 °C – 45 °C
- Temperatura de almacenamiento: –40 °C – 85 °C
- MTBF: 1.75 millones de horas
- Endurance (TBW): 300 TBW
- Garantía: 5 años
Las imágenes y especificaciones son ilustrativas, no contractuales, pueden contener errores involuntarios y sufrir modificaciones sin previo aviso. Ante la duda corroborar siempre en la web del fabricante.

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